Caracterización estructural del semiconductor ternario TlGaS2

  • Flor Pérez Universidad del Zulia-Venezuela
  • Jesús González Universidad de Los Andes-Venezuela
  • Asiloé Mora Universidad de Los Andes-Venezuela
  • Gerzon Delgado Universidad de Los Andes-Venezuela
Palabras clave: difracción de rayos-X, semiconductores

Resumen

En este trabajo se presenta el estudio estructural del compuesto TlGaS2. La muestra fue crecida utilizando el método Brigdman. La caracterización se realizó utilizando las técnicas de difracción de rayos-X en muestras policristalinas y cristal único. Este análisis indica que el compuesto TlGaS2 cristaliza en el sistema monoclínico con grupo espacial C2/c. La estructura consiste de unidades del tipo Ga4S10 las cuales forman capas a lo largo de la dirección c.

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Cómo citar
Pérez, F., González, J., Mora, A., & Delgado, G. (1). Caracterización estructural del semiconductor ternario TlGaS2. Ciencia, 16(1). Recuperado a partir de https://produccioncientificaluz.org/index.php/ciencia/article/view/9828
Número
Vol. 16 Núm. 1
Sección
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