Estudio del ancho a la mitad de la banda de fotoluminiscencia por recombinación de pares del GaP tipo n con la temperatura y la intensidad de excitación
Abstract
Se estudió el ancho a la mitad de la banda de fotoluminiscencia del espectro de pares de semiconductores tipo n en función de la temperatura y la intensidad de excitación, partiendo de la ecuación de intensidad hallada por Fonthal. La comparación con los valores experimentales, a temperaturas bajas, para el GaP(S,Zn) y GaP(S,Cd) estuvo dentro del margen error. Igualmente se comparó cualitativamente con los resultados de Halperin et al para el GaP(S,C) tanto para su dependencia con la temperatura como con la intensidad excitatriz, y la tendencia es similar. Los resultados confirman parcialmente la bondad del modelo de Fonthal con respecto al tradicional de Halperin-Zacks, además de que no necesita de parámetros para ajustar como es el caso de éste último.
