Estudio del corrimiento en energía de la fotoluminiscencia del GaP tipo n con la temperatura y la intensidad de excitación
Abstract
Se estudió el corrimiento en energía del máximo de la banda de fotoluminiscencia de semiconductores tipo n en función de la temperatura partiendo de la ecuación de intensidad hallada por Fonthal. Igualmente se investigó la dependencia del mismo corrimiento con la intensidad de excitación. La comparación con los valores experimentales, a bajas temperaturas, para el GaP(S,Zn) y GaP(S,Cd) estuvo dentro del margen de error. Igualmente se comparó cualitativamente con los resultados de Halperin et al para el GaP(S,C) tanto para su dependencia con la temperatura como con la intensidad excitatriz, y la tendencia es similar. Se midió la energía del máximo a altas temperaturas predicha por el modelo y se comparó con el valor esperado. Su desviación estuvo alrededor del 3%. Los resultados confirman parcialmente la bondad del modelo de Fonthal con respecto al tradicional de Halperin-Zacks, además de que no necesita de parámetros para ajustar como es el caso de este último.
