Caracterización estructural del semiconductor ternario TlGaS2

Flor Pérez, Jesús González, Asiloé Mora, Gerzon Delgado

Resumen


En este trabajo se presenta el estudio estructural del compuesto TlGaS2. La muestra fue crecida utilizando el método Brigdman. La caracterización se realizó utilizando las técnicas de difracción de rayos-X en muestras policristalinas y cristal único. Este análisis indica que el compuesto TlGaS2 cristaliza en el sistema monoclínico con grupo espacial C2/c. La estructura consiste de unidades del tipo Ga4S10 las cuales forman capas a lo largo de la dirección c.


Palabras clave


difracción de rayos-X; semiconductores

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Universidad del Zulia /Venezuela/  Ciencia/ revistaciencia@fec.luz.edu.ve /ISSN 1315-2076

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