Estudio de la magnetoresistencia en el compuesto ternario Cu2GeSe3

• Manuel Villarreal Universidad de Los Andes-Venezuela
• Braulio Fernández Universidad de Los Andes-Venezuela

Palabras clave: nuevos materiales, magnetorresistencia, semiconductores

Resumen

En este trabajo presentamos el estudio de la magnetoresistencia ï„p / po del compuesto ternario Cu2GeSe3 tipo-p en función de campo magnético, de 2 a 16 kG, y en un rango de temperaturas de 80 a 300 K. Del ajuste de la magnetorresistencia se obtienen los valores de la movilidad de arrastre de los portadores, observándose una clara dependencia con la movilidad de Hall, donde el factor de Hall es cercano a la unidad.