Crecimiento y Caracterización Estructural de aleaciones del sistema Cu(In1-xGax)5S8
Palabras clave:
compuestos de vacancia ordenada, Cu(In1-xGax)5Se8, semiconductores
Resumen
La estructura cristalina del sistema de aleaciones Cu(In1-xGax)5Se8 (0 £ x £ 1), preparadas por fusión directa de la mezcla estequiométrica de los elementos, ha sido establecida por difracción de rayos X en polvo. Se encontró la presencia de una fase tetragonal a temperatura ambiente en el rango de composición 0,4 £ x £1. Se explica la razón de la existencia de las estructuras tetragonal y hexagonal reportadas para el CuIn5Se8 y también su coexistencia por debajo de x < 0,4 observada en este trabajo. En el rango de composición 0 £ x £ 1, los parámetros de red de la celda unitaria a y c de la fase tetragonal varían desde 5,77 a 5,48 Å y desde 11,61 a 10,94 Å, respectivamente.
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Cómo citar
Durán, L., Meléndez, L., Castro, J., Fermín, J. R., Hernández, E., & Durante Rincón, C. A. (1). Crecimiento y Caracterización Estructural de aleaciones del sistema Cu(In1-xGax)5S8. Ciencia, 13(3). Recuperado a partir de https://produccioncientificaluz.org/index.php/ciencia/article/view/9274
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