Preparación y Caracterización Óptica a Temperatura Ambiente del Sistema con Vacancia Ordenada Cu(In1-Xgax)3Se5

• Giovanni Marín Centro de Estudios de Semiconductores, Departamento de Física, Facultad de Ciencias Universidad de Los Andes
• Syed M. Wasim Centro de Estudios de Semiconductores, Departamento de Física, Facultad de Ciencias Universidad de Los Andes
• Carlos Rincón Centro de Estudios de Semiconductores, Departamento de Física, Facultad de Ciencias Universidad de Los Andes
• Gerardo Sánchez Pérez Centro de Estudios de Semiconductores, Departamento de Física, Facultad de Ciencias Universidad de Los Andes
• Pablo Bocaranda Centro de Estudios de Semiconductores, Departamento de Física, Facultad de Ciencias Universidad de Los Andes
• Andrés Eloy Mora Centro de Estudios de Semiconductores, Departamento de Física, Facultad de Ciencias Universidad de Los Andes
• Ildefonso Molina M. Centro de Estudios de Semiconductores, Departamento de Física, Facultad de Ciencias Universidad de Los Andes

Resumen

En el presente trabajo se reporta la caracterización óptica de los semiconductores CuIn3Se5, CuGa3Se5 y sus aleaciones Cu(In1-XGaX)3Se5. Las muestras estudiadas fueron obtenidas a partir de lingotes crecidos mediante la técnica de Bridgman vertical y por enfriamiento direccional programado. La composición estequiométrica porcentual de las muestras, determinada por EDX, resultó ser muy cercana a la composición teórica. La brecha de energía EG varía con la composición x de acuerdo a la ecuación cuadrática: EG(x) = a + bx + cx2, donde el coeficiente c es igual a (0,173 Ó 0,002) eV. Este valor está de acuerdo con el calculado mediante la relación c = 5/4 Y = 0,175 eV, donde Y es la diferencia de las electronegatividades de Phillips entre los cationes In y Ga.